加工定制 | 否 | 制作工艺 | 薄膜 |
---|---|---|---|
输出信号 | 模拟型 | 材料 | 陶瓷 |
材料物理性质 | 半导体 | 材料晶体结构 | 其他 |
防护等级 | 67 | 线性度 | -%F.S |
迟滞 | -%F.S | 重复性 | -%F.S |
灵敏度 | - | 分辨率 | - |
BALLUFF传感器数据资料BES-516-324-SA26-03
连接方式 电缆
无功电流Io,衰减, 20.0 mA
无功电流Io,无衰减 12.0 mA
余波, (Ue的百分比) 10 %
工作电流Im 0 mA
基本标准 IEC 60947-5-2
防护等级符合IEC 60529 IP67
功能显示 否
开关距离标识
反极性保护 是
工作电压显示 否
短路保护 否
BALLUFF传感器数据资料BES-516-324-SA26-03
测量开关距离Sn [mm] 2.00 mm
深度 55.5 mm
环境温度Ta, 120 °C
环境温度Ta-25 °C
电缆护套材料 PTFE
电缆直径D, 3.4 mm
直径d1 M08x1
真实开关距离Sr 2.20 mm
可齐平安装:参见开关距离较大的感应式传感器825357的安装说明。
建议:在短路后,检查设备的安全功能。
Ta ≥ 70 °C… ≤ 120 °C:Ie ≤ 150 mA。
EMV:冲击电压耐受性;需要外部保护电路。文档825345,2段
下输出量变化△y对输入量变化△x的比值。
它是输出一输入特性曲线的斜率。如果传感器的输出和输入之间显线性关系,则灵敏度S是一个常数。否则,它将随输入量的变化而变化。
灵敏度的量纲是输出、输入量的量纲之比。例如,某位移传感器,在位移变化1mm时,输出电压变化为200mV,则其灵敏度应表示为200mV/mm。