P+F传感器结构形式NBB10-30GM50-E2-V1

P+F传感器结构形式NBB10-30GM50-E2-V1

工作电压 7 ... 12 V
开关频率 0 ... 1 Hz
电流消耗 
未检测到金属板 max. 1 mA
检测到金属板 ≥ 2.4 mA
环境温度 -25 ... 70 °C (-13 ... 158 °F)

P+F传感器结构形式NBB10-30GM50-E2-V1

接线类型 cable PVC , 15 m
导线截面积 0.34 mm2
外壳材料 PBT
感应面 PBT
外壳直径 12 mm
防护等级 IP68 电缆 
弯曲半径 > 10 x cable diameter

光电式接近开关
利用光电效应做成的开关叫光电开关。将发光器件与光电器件按一定方向装在同一个检测头内。当有反光面（被检测物体）接近时，光电器件接收到反射光后便在信号输出，由此便可“感知”有物体接近。
其它型式
当观察者或系统对波源的距离发生改变时，接近到的波的频率会发生偏移，这种现象称为多普勒效应。声纳和雷达就是利用这个效应的原理制成的。利用多普勒效应可制成声波接近开关、微波接近开关等。当有物体移近时，接近开关接收到的反射信号会产生多普勒频移，由此可以识别出有无物体接近

霍尔元件是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。