加工定制 | 否 | 制作工艺 | 厚膜 |
---|---|---|---|
输出信号 | 开关型 | 材料 | 聚合物 |
材料物理性质 | 导体 | 材料晶体结构 | 其他 |
防护等级 | - | 线性度 | -%F.S |
迟滞 | -%F.S | 重复性 | -%F.S |
灵敏度 | - | 分辨率 | - |
BALLUFF光电传感器BES M18MI-PSC50B-S04G
每LSB分辨率1/1.024微米 重复精度≤1微米
在120Ω负载电阻下
胶带杆间距1 mm
读取距离,传感器头/分接头
e 0.35毫米(无盖板)
行驶速度 5 m /秒
采样率fStandard =高达50 kHz(SSI)
消耗电流<90 MA +控制器的电流消耗,
fStandard = 10 MHz (BiSS-C)
Operating temperature –20...+80 °C
行驶速度zui大。 5米/秒
采样速率f标准=高达50 kHz(SSI),
系统精度±7μm的 电源电压5 V±5%
Repeat accuracy ≤ 1 μm
采样速率f标准=高达50 kHz(SSI),
f标准=10兆赫(BISS-C)
工作温度-20... +80℃
外壳材料铝,不锈钢
zui大。读取距离,传感器头/带0.35毫米(无盖条)
在120Ω负载电阻
胶带极间距1 mm
Resolution 1/1.024 μm per LSB
行驶速度zui大。 5米/秒
Housing material Al, stainless steel
功能安全性
MTTF (40 °C) 330 a
显示 / 运行
功能显示是
机械参数
尺寸31 x 5.1 x 6.2 mm
拧紧力矩0.35 Nm
材质
外壳材料PA 6.6
感应面,材料PA 6.6
护套材料PUR
环境条件
污染程度3
环境温度-25...85 °C
防护等级IP67
BALLUFF光电传感器BES M18MI-PSC50B-S04G