FESTO传感器输入方式,SIEN-M5B-PS-S-L

FESTO传感器输入方式,SIEN-M5B-PS-S-L

额定切换距离  0.8 mm
环境温度  -25 ... 70 °C
恒定条件下的重复精度  0,01 mm
开关输出  PNP
切换元件功能  常开触点
zui大切换频率  5,000 Hz
zui大输出电流  200 mA
短路强度  脉冲调制
工作电压范围 DC  10 ... 30 V
极性容错保护  对于所有的电接口

FESTO传感器输入方式,SIEN-M5B-PS-S-L

集成传感器是用标准的硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。
通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底（基板）上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。
厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。
陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺（溶胶、凝胶等）。
完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。
每种工艺技术都有自己的点和不足。由于研究、开发和所需的资本投入较低，以及传感器参数的高稳定性等原因，采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。